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VP1008B中文资料

  • 大小：241.17KB
  • 厂家：
  • 描述：TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | TO-39
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 100 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：0.79 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：5 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Stud
  • 封装 / 箱体：TO-205AD
  • 封装：Bulk
  • 下降时间：20 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：6.25 W
  • 上升时间：30 ns
  • 工厂包装数量：200
  • 典型关闭延迟时间：20 ns

VP1008B供应商

更新时间:2023-01-17 04:45:01
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